由中国电子学会真空电子学分会和微波电真空器件国家级重点实验室联合举办的中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会定于2016年8月23-25日在福建厦门市举办,现进行学术论文第二轮征集。征文有关事项通知如下,希望真空电子学分会委员及会员,全国真空电子学及相关领域的专家和工程技术人员,各高等院校、企业公司和研究所的教授、学者、专业人员等踊跃撰稿,积极参加。
征文内容(专题1-5) :
1. 微波真空电子器件及其他真空电子管:行波管、速调管、正交场器件、多注器件、快波器件、自由电子激光、高脉冲功率器件及空间电荷控制管、离子管、气体放电器件、真空开关管等。
2. 场致电子发射:场致电子发射的新材料、新工艺和新原理及相关理论、模型和模拟计算;场发射器件的结构设计、制备技术、性能表征及评估方法;场致电子发射显示的荧光粉和驱动技术。
3. 真空微纳电子器件及微纳加工技术:真空微纳电子学的理论、模型和模拟计算研究;真空微纳电子器件及物理研究;微纳加工技术;太赫兹(THz)真空功率器件;真空辐射源。
4. 系统和应用:空间行波管及空间应用、微波毫米波功率模块(MPM)、集成真空电子器件,真空电子器件在有源相控阵中的应用,集成电源适配器、可靠性技术、系统应用技术(雷达、电子对抗、通信、制导、医疗加速器、工业加热、电力系统等)。
5. 基础理论和技术:CAD技术、热分析和动力学模拟分析、电真空材料和工艺、阴极电子发射、电子光学、互作用电路、收集极、射频击穿、测量技术等。
论文的格式要求:
本次学术会议将出版论文集,经过会议学术论文评审组审查通过的论文将被收录进论文集,优秀论文在核心学术刊物“真空电子技术”上发表。
格式要求:文章用纸A4幅面,页面设置为上、下各2厘米、右2厘米、左2.5厘米(装订边),每篇文章不超过五页。来稿请注明所属专题,作者通信地址、邮编及传真、电子信箱或手机号,稿件经学术委员会审定收录后,将及时通知第一作者。论文征集截稿日为2016年7月30日。稿件请用电子邮件投递,收到电子回函表示确认。
论文由几个部分组成:题目、作者姓名、工作单位、摘要、关键词、引言、正文、参考文献。题目用3号黑体字,作者姓名用4号仿宋,作者单位用5号仿宋,摘要、关键词引言及正文用5号宋体,文中的标题或段落标题为5号宋体加粗。来稿须在末尾(参考文献后)注明本论文是否口头报告。最终是否安排口头报告将由学术委员会确定,并及时告之作者。
08月23日
2016
08月25日
2016
初稿截稿日期
注册截止日期
2013年09月01日 中国 北京市
中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
留言