基于二硫化钼的表面超低摩擦和图案构筑
编号:466
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更新:2021-07-23 19:20:08 浏览:246次
口头报告
摘要
二硫化钼(MoS2)以其优异的润滑特性而闻名,在各种微纳机电系统(MEMS/NEMS)中通常用作固体润滑剂。在外加电场下,用AFM针尖摩擦置于SiO2/Si衬底上的MoS2表面,使MoS2的摩擦系数降低近5倍,达到超低摩擦状态(摩擦系数接近0.0045)。在电场作用下,MoS2与SiO2/Si衬底界面间发生电荷转移和积聚。摩擦过程中由于电荷转移,得到了由电子紧密结合导致的高结合强度的MoS2/SiO2界面。原子级厚度的MoS2超低摩擦态是由于MoS2与SiO2/Si衬底之间的电子紧密结合抑制了MoS2原子尺度的变形,限制了MoS2的局部钉扎能力,从而降低摩擦力。通过控制摩擦过程中的位置、时间和电场强度,在原子级厚度的MoS2表面进一步形成超低摩擦状态的图案。该方法为在具有半导体性质的MoS2及相关的二维材料上实现超低摩擦提供了新的方法。超低摩擦的纳米图案化可以促进和扩大MoS2作为润滑剂在各种具有纳米元件的MEMS/NEMS中的工程应用。
稿件作者
史彬
东华大学
彭倚天
东华大学
郎浩杰
东华大学
虞康
东华大学
张修硕
东华大学
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