680 / 2021-06-22 13:25:25

新型铜/钴互连结构的化学机械抛光研究

超大规模集成电路产业时推动现代信息社会发展和实现经济繁荣的核心基石，对我国实现可持续与创新性发展有着重要的战略意义。国际器件和系统发展蓝图在2020年规划集成电路的工业技术节点降低至5 nm^[1]，这意味着电路互连线的横截面积和线间距的急速缩小，从而导致了互连电路信号传输延迟（RC延迟）等发展制约因素。解决RC延迟的有效途径之一就是引入新型的互连线阻挡层，由于钴（Co）具有低电阻率、可与铜布线直接电镀^[2]、与化学机械抛光（CMP）及后清洗工艺具有良好兼容性^[3]等优势，已然成为了铜互连的新型应用阻挡层。本报告针对于新型铜/钴互连结构空白片及图形片分别进行了化学机械抛光实验、静态腐蚀、CMP、电化学等一系列的研究实验，寻求并验证了高效适宜的抛光液氧化剂、络合剂及腐蚀抑制剂。