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ID / 提交时间

836 / 2019-09-25 15:32:16

标题

包层结构下CFETR垂直位移被动致稳与主动控制能力研究

关键字

主题及专题

全体主题 > 磁约束核聚变理论与模拟

状态

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作者

磊刘 / 中国科学院等离子体物理研究所

摘要

CFETR仅靠真空室无法提供足够的被动不稳定性，等离子体不可控。必须考虑其他被动结构比如包层结构。针对CFETR包层结构，使用Toksys程序，分析了真空室及包层对垂直位移不稳定性的被动致稳效果，计算了垂直位移增长率。对包层结构分区域扫描优化，保证被动稳定性前提下降低了对外部磁场的屏蔽。主动控制方面，必须在真空室内部安放快速响应线圈用于VDEs控制。模拟给出了实现垂直位移鲁棒控制下对线圈电源供电能力(电流、电压、响应时间)的要求。并最终给出优化后线圈安放位置。