摘要清单
我的稿件
218
A Physics-based Lumped-charge Model for SiC MPS Diode Implemented in PSPICE”终稿

Yaoqiang Duan, Xin Li, Yifei Luo*, BinLi Liu, Yingjie Jia

全体主题 > Device characterization and modeling

217
Influence of Lateral Spreading of Implanted Aluminum Ions on Current-Voltage Characteristics of 6.5 kV 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes终稿

Liu Zheng*

全体主题 > Device characterization and modeling

216
Measurement of Carrier Lifetime in 4H-SiC PiN Diodes Employing OCVD Method at Different Temperature终稿

lei yuan*, Yao Bing

全体主题 > Device characterization and modeling

209
Analysis of Schottky Forward Current Transport Mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs over a Wide Temperature Range终稿

Mei Wu*

全体主题 > Device characterization and modeling

204
Analysis of Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with Double Passivation Layers终稿

Kazushige Horio*

全体主题 > Device characterization and modeling

196
Automatic V-I Alignment for Switching Characterization of Wide Band Gap Power Devices终稿

Shan Yin*

全体主题 > Device characterization and modeling

重要日期

  • 会议日期

    05月17日

    2018

    至

    05月19日

    2018

  • 12月08日 2017

    摘要截稿日期

  • 01月30日 2018

    摘要录用通知日期

  • 02月10日 2018

    初稿截稿日期

  • 02月10日 2018

    终稿截稿日期

  • 05月19日 2018

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
IEEE POWER ELECTRONIC SOCIETY
中国电源学会
中国半导体产业创新联盟
承办单位
西安交通大学
西安电子科技大学
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